RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
54
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
10.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2277
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link