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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
54
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
54
读取速度,GB/s
10.1
10.8
写入速度,GB/s
7.8
8.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2277
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
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Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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