RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
49
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2708
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link