RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3164
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link