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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
35
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3164
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
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Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
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