RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
35
Autour de 31% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
16
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3029
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link