RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
49
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3191
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link