RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3191
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link