RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3120
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link