RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3120
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link