Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Unterschiede

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 1900
    Rund um 5.58% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    45 left arrow 49
    Rund um -9% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.7 left arrow 10.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 7.8
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    49 left arrow 45
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 11.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 8.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 1900
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2070 left arrow 2387
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RAM 1
RAM 2

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