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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
81
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
1651
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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