RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
49
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2786
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link