RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
49
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2575
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link