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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
2575
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston 99U5584-003.A00LF 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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