RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
47
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3379
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link