RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
47
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
32
Velocità di lettura, GB/s
10.4
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
3379
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link