RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
27
Velocità di lettura, GB/s
12.6
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3061
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link