RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3061
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link