RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3061
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link