RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Porównaj
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Wynik ogólny
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
5.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1370
2993
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link