RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
47
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3755
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link