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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
47
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3755
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
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