RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
47
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2855
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link