RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
47
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3377
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link