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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
47
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3377
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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