RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
47
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2846
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link