RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2846
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link