RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2846
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link