RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
47
Rund um -147% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
17.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3499
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link