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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
47
左右 -147% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
19
读取速度,GB/s
10.4
20.0
写入速度,GB/s
7.8
17.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3499
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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