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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
10.4
11.7
写入速度,GB/s
7.8
8.9
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
1842
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB RAM的比较
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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