RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
62
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
1586
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston KHX16 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link