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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
62
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
1586
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
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Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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