RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
62
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
62
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
1586
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-079.A00LF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link