RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
47
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3756
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link