RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3756
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link