RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3756
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link