RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3326
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link