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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
10.4
16.8
写入速度,GB/s
7.8
13.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3326
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
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G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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