RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3143
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link