RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
55
Rund um -49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
55
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2424
2939
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link