RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
55
Rund um -112% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
55
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2424
3723
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link