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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
55
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
55
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2424
2284
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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