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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
55
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.2
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
55
33
Velocidade de leitura, GB/s
9.4
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2424
2284
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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