RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
77
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
77
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
6.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
1517
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link