RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
34
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2881
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link