RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
34
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2881
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link