RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
8.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2489
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link