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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2489
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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