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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
33
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2989
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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