RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
33
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2462
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link