Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Gesamtnote
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Gesamtnote
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Unterschiede

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    18 left arrow 33
    Rund um -83% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    20.4 left arrow 8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    17.2 left arrow 7.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 10600
    Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    33 left arrow 18
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 20.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.3 left arrow 17.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1911 left arrow 3814
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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