RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
86
Rund um 62% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
86
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
1658
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link